ITO ծածկույթը վերաբերում է indium անագի օքսիդի ծածկույթին, որը լուծում է, որը բաղկացած է Indium- ից, թթվածինից եւ TIN- ից `IE Indium Oxide (In2O3) եւ անագի օքսիդ (SNO2):
Սովորաբար հանդիպում են թթվածնի հագեցած ձեւի մեջ, որը բաղկացած է (ըստ քաշի) 74% -ից, 8% SN- ը եւ 18% O2- ը, indium անագի օքսիդը օպտոէլեկտրոնային նյութ է, երբ օգտագործվում է բարակ կինոնկարների մեջ:
Այժմ իր գերազանց օպտիկական թափանցիկության եւ էլեկտրական հաղորդունակության պատճառով օքսիդների անցկացման ամենատարածված թափանցիկորեն օգտագործվող թափանցիկորեն օգտագործվող թափանցիկության մեջ կարող է վակուումային պահուստավորված լինել substrates- ի, ներառյալ ապակու, պոլիեսթեր, պոլիկարբոնատ եւ ակրիլ:
525-ից 600 նմ, 20 օմ / ք / ք. ITO ծածկույթները պոլիկարբոնատի եւ ապակու վրա ունեն համապատասխան բնորոշ գագաթնակետային լուսարձակող փոխանցում, 81% եւ 87%:
Դասակարգում եւ դիմում
Բարձր դիմադրության ապակուց (դիմադրության արժեքը 150 ~ 500 Ohms է), ընդհանուր առմամբ օգտագործվում է էլեկտրաստատիկ պաշտպանության եւ սենսորային էկրանի արտադրության համար:
Սովորական դիմադրության ապակուց (դիմադրության արժեքը 60 ~ 150 Ohms է), ընդհանուր առմամբ օգտագործվում է հեղուկ բյուրեղային ցուցադրման եւ էլեկտրոնային հակա-միջամտության համար:
Resistance ածր դիմադրության ապակի (դիմադրություն 60 Ohms- ից պակաս), ընդհանուր առմամբ օգտագործվում է STN հեղուկ բյուրեղային էկրանի եւ թափանցիկ տպատախտակի համար:
Փոստի ժամանակը: Օգոստոս-09-2019
